casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZX55B2V7-TAP
codice articolo del costruttore | BZX55B2V7-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BZX55B2V7-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZX55B2V7-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 2.7V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 85 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX55B2V7-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZX55B2V7-TAP-FT |
1N5226C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5227B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5227C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5227C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5228C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5228C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5229C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5229C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5230C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5230C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.