casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZX384C6V8-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZX384C6V8-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZX384C6V8-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZX384C6V8-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 4V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C6V8-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZX384C6V8-HE3-18-FT |
BZX384C2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A35T-1FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
EP4S100G5H40I2
Intel
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D4F31I5N
Intel