casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZX384C3V6-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZX384C3V6-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZX384C3V6-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZX384C3V6-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 90 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C3V6-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZX384C3V6-HE3-18-FT |
BZX384B9V1-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C10-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C10-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C10-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C10-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C11-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C11-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA676I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-1FGG484M
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1N
Intel
EP20K100EFC144-2N
Intel
5SGXEB5R2F43I3L
Intel
EP4SE360F35C2N
Intel
XC4VLX40-10FFG1148I
Xilinx Inc.