casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZX384B6V2-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZX384B6V2-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZX384B6V2-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZX384B6V2-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 4V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384B6V2-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZX384B6V2-HE3-18-FT |
BZX384B30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B33-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation