casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZX384B39-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZX384B39-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZX384B39-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZX384B39-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 39V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 130 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 27.3V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384B39-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZX384B39-HE3-18-FT |
BZX384C18-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C22-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C5V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C5V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S500E-4CPG132Q
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20LV-3CQI
Microchip Technology
EP4SE820H40I3N
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153C8G
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel