casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT55B13-GS18
codice articolo del costruttore | BZT55B13-GS18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZT55B13-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT55B13-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 13V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 26 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 10V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-80 Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 QuadroMELF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT55B13-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT55B13-GS18-FT |
BZX584C2V7-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C30-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C33-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C36-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C39-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C3V0-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C3V3-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C3V6-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C3V9-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX584C43-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2C35U484C6N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
EP4CE22E22C6
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
EP3SL340H1152C4
Intel
LFE2M50SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation