casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52C9V1-G3-08
codice articolo del costruttore | BZT52C9V1-G3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZT52C9V1-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C9V1-G3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 410mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 4.8 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 7V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C9V1-G3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52C9V1-G3-08-FT |
BZT52C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
EPF10K10TI144-4N
Intel
XC5204-6PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-N3FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1CQ208M
Microsemi Corporation
AGL125V2-VQ100
Microsemi Corporation
AT40K10-2RQC
Microchip Technology
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel