casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52C6V2S RRG
codice articolo del costruttore | BZT52C6V2S RRG |
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Numero di parte futuro | FT-BZT52C6V2S RRG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZT52C6V2S RRG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 200mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.7µA @ 4V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-90, SOD-323F |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C6V2S RRG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52C6V2S RRG-FT |
BZD27C20PWH
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C220PW
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C220PWH
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C22PW
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C22PWH
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C24PW
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C24PWH
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C27PW
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C27PWH
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C36PW
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel