casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52C6V2-G3-18
codice articolo del costruttore | BZT52C6V2-G3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZT52C6V2-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C6V2-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 410mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 4.8 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 2V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C6V2-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52C6V2-G3-18-FT |
BZT52C2V4-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V4-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1K30TI144-2
Intel
XC4062XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
EP2S30F484C3N
Intel
5SGXEA7N1F40I2N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX485T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35C5N
Intel