casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52B9V1-G3-18
codice articolo del costruttore | BZT52B9V1-G3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZT52B9V1-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B9V1-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 410mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 4.8 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 7V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B9V1-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52B9V1-G3-18-FT |
BZT52B3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division