casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52B9V1-E3-08
codice articolo del costruttore | BZT52B9V1-E3-08 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZT52B9V1-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZT52B9V1-E3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 410mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 4.8 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 7V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B9V1-E3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52B9V1-E3-08-FT |
BZT52B3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V3-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel