casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52B6V2-E3-18
codice articolo del costruttore | BZT52B6V2-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZT52B6V2-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZT52B6V2-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 410mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 4.8 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 2V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B6V2-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52B6V2-E3-18-FT |
BZT52B2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
A42MX24-PQG208M
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
A40MX02-2PL44I
Microsemi Corporation
10AX066K2F40E2SG
Intel