casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52B5V1-G RHG
codice articolo del costruttore | BZT52B5V1-G RHG |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZT52B5V1-G RHG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZT52B5V1-G RHG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 5.1V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 410mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 2V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B5V1-G RHG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52B5V1-G RHG-FT |
BZT52B36S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B39S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B3V0S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B3V3S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B3V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B3V9S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B43S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B47S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B4V3S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B4V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation