casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52B4V7-G3-08
codice articolo del costruttore | BZT52B4V7-G3-08 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZT52B4V7-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B4V7-G3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 410mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 70 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B4V7-G3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52B4V7-G3-08-FT |
BZT52B16-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B18-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B18-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B18-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B20-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K30ETC144-2N
Intel
XC3S400A-4FT256C
Xilinx Inc.
M7AFS600-FG484I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FGG676
Microsemi Corporation
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C5
Intel
EPF10K30AQC240-1N
Intel