casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52B3V9-E3-18
codice articolo del costruttore | BZT52B3V9-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZT52B3V9-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZT52B3V9-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 410mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B3V9-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52B3V9-E3-18-FT |
BZT52B11-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FG676C
Xilinx Inc.
XCS05XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N1F45I1SG
Intel
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP1C4F324C8
Intel