casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52B11 RHG
codice articolo del costruttore | BZT52B11 RHG |
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Numero di parte futuro | FT-BZT52B11 RHG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZT52B11 RHG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 90nA @ 8V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123F |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B11 RHG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52B11 RHG-FT |
BZT55B18 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT55B20 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT55B22 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT55B24 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT55B27 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT55B2V4 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT55B2V7 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT55B30 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT55B33 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT55B36 L0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel