casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZT52B10-G3-08
codice articolo del costruttore | BZT52B10-G3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZT52B10-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B10-G3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 410mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 5.2 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 7.5V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B10-G3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZT52B10-G3-08-FT |
BZT52C51-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C5V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C6V8-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C6V8-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C7V5-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C9V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ4681-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ4682-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ4683-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ4684-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.