casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZS55C3V9 RXG
codice articolo del costruttore | BZS55C3V9 RXG |
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Numero di parte futuro | FT-BZS55C3V9 RXG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZS55C3V9 RXG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.9V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 85 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 10mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1206 (3216 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZS55C3V9 RXG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZS55C3V9 RXG-FT |
1N3014B
Microsemi Corporation
1N3014RB
Microsemi Corporation
1N3015B
Microsemi Corporation
1N3015RB
Microsemi Corporation
1N3312BE3
Microsemi Corporation
1N3993RA
Microsemi Corporation
1N3994A
Microsemi Corporation
1N3994AE3
Microsemi Corporation
1N3994RA
Microsemi Corporation
1N3995A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel