casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C91P-M3-08
codice articolo del costruttore | BZD27C91P-M3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C91P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C91P-M3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 91V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 200 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 68V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C91P-M3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C91P-M3-08-FT |
BZD27C36P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C39P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C39P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C39P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C39P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XA7A75T-2FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10M25DCF256A7G
Intel
EP3C10F256C8
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I5N
Intel