casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C27P-M3-08
codice articolo del costruttore | BZD27C27P-M3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C27P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C27P-M3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 27V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 20V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C27P-M3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C27P-M3-08-FT |
BZD27B8V2P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B8V2P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B91P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B91P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B91P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B91P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B91P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B9V1P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-1FGG256I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCVG484I
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-2N
Intel
10AX016C3U19I2SG
Intel
XC5VLX85-1FF1153I
Xilinx Inc.
AGL400V2-CS196
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel