casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C24P-M-18
codice articolo del costruttore | BZD27C24P-M-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD27C24P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C24P-M-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 24V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 18V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C24P-M-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C24P-M-18-FT |
BZD27C43P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C47P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C47P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C47P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C47P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S500E-4CPG132Q
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20LV-3CQI
Microchip Technology
EP4SE820H40I3N
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153C8G
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel