casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C24P-M-18
codice articolo del costruttore | BZD27C24P-M-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD27C24P-M-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C24P-M-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 24V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 18V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C24P-M-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C24P-M-18-FT |
BZD27C43P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C47P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C47P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C47P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C47P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V3P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation