casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27C110P-M3-08
codice articolo del costruttore | BZD27C110P-M3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27C110P-M3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C110P-M3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 250 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 82V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C110P-M3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27C110P-M3-08-FT |
BZD27B4V3P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV300E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2V6000-5FFG1517C
Xilinx Inc.
APA300-BGG456
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7K2F35C2LN
Intel
5SGSMD5H1F35C1N
Intel
XC4003E-2PC84C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
10AX066K4F35E3LG
Intel