casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B22P-M3-18
codice articolo del costruttore | BZD27B22P-M3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZD27B22P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B-M |
BZD27B22P-M3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 22V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 16V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B22P-M3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B22P-M3-18-FT |
BZD17C8V2P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C91P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C91P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C9V1P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C9V1P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B100P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP6E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S50-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
10AX016C4U19E3LG
Intel
EP4CE55F23C7
Intel
5SGXEA4H3F35I4N
Intel
XC7VX980T-1FFG1926C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
EPF10K50RC240-3
Intel