casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD27B12P-E3-18
codice articolo del costruttore | BZD27B12P-E3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZD27B12P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B12P-E3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 9.1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B12P-E3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD27B12P-E3-18-FT |
BZD17C130P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C13P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C13P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C150P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C150P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C15P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C160P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C160P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C16P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C16P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.