casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD17C220P M2G
codice articolo del costruttore | BZD17C220P M2G |
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Numero di parte futuro | FT-BZD17C220P M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C220P M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 220V |
Tolleranza | ±5.68% |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 900 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 160V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C220P M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD17C220P M2G-FT |
BZD27C130P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C150P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C150P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C160P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C160P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C20P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C20P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C20P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C22P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C22P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel