casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD17C18P M2G
codice articolo del costruttore | BZD17C18P M2G |
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Numero di parte futuro | FT-BZD17C18P M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C18P M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
Tolleranza | ±6.38% |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 13V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C18P M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD17C18P M2G-FT |
BZD27C56PHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C68P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C68PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C75P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C75PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C82P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C82PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C91P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
EP4SGX290KF43C2N
Intel
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation