casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD17C180P R3G
codice articolo del costruttore | BZD17C180P R3G |
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Numero di parte futuro | FT-BZD17C180P R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C180P R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 180V |
Tolleranza | ±6.38% |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 450 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 130V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C180P R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD17C180P R3G-FT |
BZD27C62P MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62P RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62P RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62P RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62PHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62PHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62PHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62PHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62PHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C62PHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel