casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZD17C12P M2G
codice articolo del costruttore | BZD17C12P M2G |
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Numero di parte futuro | FT-BZD17C12P M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZD17C12P M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolleranza | ±5.41% |
Potenza - Max | 800mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 9.1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C12P M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZD17C12P M2G-FT |
BZD27C150P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C150PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C15P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C15PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C160P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C160PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C16P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C16PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C180P RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZD27C180PHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation