casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYW51G-200-TR
codice articolo del costruttore | BYW51G-200-TR |
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Numero di parte futuro | FT-BYW51G-200-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYW51G-200-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW51G-200-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYW51G-200-TR-FT |
BAT30-07P6FILM
STMicroelectronics
BAT30-09P6FILM
STMicroelectronics
BAT41-07P6FILM
STMicroelectronics
BAT41-09P6FILM
STMicroelectronics
BAT54-07P6FILM
STMicroelectronics
BAT54-09P6FILM
STMicroelectronics
BAS70-08SFILM
STMicroelectronics
BAS70-05WFILM
STMicroelectronics
BAT54SWFILMY
STMicroelectronics
BAT54SFILM
STMicroelectronics
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel