casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYW51-200
codice articolo del costruttore | BYW51-200 |
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Numero di parte futuro | FT-BYW51-200 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYW51-200 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW51-200 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYW51-200-FT |
STPS41L60CG
STMicroelectronics
STTH1002CG
STMicroelectronics
STTH1003G
STMicroelectronics
STTH10LCD06CG-TR
STMicroelectronics
STTH1302CG
STMicroelectronics
STTH1602CG
STMicroelectronics
STTH16L06CG
STMicroelectronics
STTH16R04CG
STMicroelectronics
STTH2003CG
STMicroelectronics
STTH20L03CG-TR
STMicroelectronics
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel