casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYW29E-150,127
codice articolo del costruttore | BYW29E-150,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BYW29E-150,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYW29E-150,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW29E-150,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYW29E-150,127-FT |
CD1005-B00340
Bourns Inc.
CD1005-B0130
Bourns Inc.
CD1005-B0130L
Bourns Inc.
CD1005-B0140L
Bourns Inc.
CD1005-B0140R
Bourns Inc.
CD1005-B0230
Bourns Inc.
CD1005-B0240
Bourns Inc.
CD1005-B0520
Bourns Inc.
CD1005-S01575
Bourns Inc.
CD1005-S0180
Bourns Inc.
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel