casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYW29-200HE3/45
codice articolo del costruttore | BYW29-200HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-BYW29-200HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYW29-200HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW29-200HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYW29-200HE3/45-FT |
MBR1645-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW29-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1060-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MUR1520-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL1506-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel