casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYV26D-TAP
codice articolo del costruttore | BYV26D-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-BYV26D-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV26D-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-57, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-57 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV26D-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV26D-TAP-FT |
1N5627-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5627-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-13TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-13TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228-15TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY228TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM36A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM36B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM36C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM36D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel