casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM12-150-E3/96
codice articolo del costruttore | BYM12-150-E3/96 |
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Numero di parte futuro | FT-BYM12-150-E3/96 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
BYM12-150-E3/96 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM12-150-E3/96 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM12-150-E3/96-FT |
SS1P6LHE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1P6LHE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2-E3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2HE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2HE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2L-E3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2LHE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2LHE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P3-E3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P3HE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel