casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM11-800-E3/96
codice articolo del costruttore | BYM11-800-E3/96 |
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Numero di parte futuro | FT-BYM11-800-E3/96 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
BYM11-800-E3/96 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM11-800-E3/96 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM11-800-E3/96-FT |
SS1P5LHE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1P6L-E3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1P6L-E3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1P6LHE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1P6LHE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2-E3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2HE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2HE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2L-E3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2LHE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel