casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM10-1000HE3/97
codice articolo del costruttore | BYM10-1000HE3/97 |
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Numero di parte futuro | FT-BYM10-1000HE3/97 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
BYM10-1000HE3/97 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM10-1000HE3/97 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM10-1000HE3/97-FT |
GL41B-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41J-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41G-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41K-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-600-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-50-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41B-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41D-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
TMBAT49FILM
STMicroelectronics
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel