casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG22BHM3_A/H
codice articolo del costruttore | BYG22BHM3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-BYG22BHM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG22BHM3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG22BHM3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG22BHM3_A/H-FT |
CPD76X-1N5817-CT
Central Semiconductor Corp
1N5617US
Microsemi Corporation
1N5619US
Microsemi Corporation
JANTX1N5418
Microsemi Corporation
1C5819.T
SMC Diode Solutions
1C5822.T
SMC Diode Solutions
JANTX1N5621US
Microsemi Corporation
R5021010RSZT
Powerex Inc.
SD200SC100A1.T
SMC Diode Solutions
SD200SCU150A.T
SMC Diode Solutions
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel