casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYG10MHM3_A/H
codice articolo del costruttore | BYG10MHM3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-BYG10MHM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG10MHM3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG10MHM3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYG10MHM3_A/H-FT |
NGTD13R120F2WP
ON Semiconductor
S1MSP1-7
Diodes Incorporated
NGTD17R120F2WP
ON Semiconductor
CDBZC0130R-HF
Comchip Technology
CDBU43-HF
Comchip Technology
MBR2150VGTR-E1
Diodes Incorporated
FFSB1065B-F085
ON Semiconductor
RS1MSP1-7
Diodes Incorporated
FFSB20120A-F085
ON Semiconductor
MBR5200VPC-E1
Diodes Incorporated
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel