casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYC30-1200PQ
codice articolo del costruttore | BYC30-1200PQ |
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Numero di parte futuro | FT-BYC30-1200PQ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYC30-1200PQ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 65ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYC30-1200PQ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYC30-1200PQ-FT |
CD214B-B350LF
Bourns Inc.
CD214B-B360LF
Bourns Inc.
CD214B-F2100
Bourns Inc.
CD214B-F2150
Bourns Inc.
CD214B-F2200
Bourns Inc.
CD214B-F2400
Bourns Inc.
CD214B-F250
Bourns Inc.
CD214B-F2600
Bourns Inc.
CD214B-F3100
Bourns Inc.
CD214B-F3150
Bourns Inc.
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel