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BUZ31 H3045A Image

Infineon Technologies BUZ31 H3045A

Numero parte MFG
BUZ31 H3045A
quantità disponibile
61150 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.780272
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
SIPMOS® MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BUZ31 H3045A specificazioni

codice articolo del costruttore BUZ31 H3045A
Numero di parte futuro FT-BUZ31 H3045A
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BUZ31 H3045A Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1120pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 95W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUZ31 H3045A Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BUZ31 H3045A-FT

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