codice articolo del costruttore | BUV21G |
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Numero di parte futuro | FT-BUV21G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
BUV21G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 3A, 25A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 3mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 12A, 2V |
Potenza - Max | 250W |
Frequenza - Transizione | 8MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-204AE |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUV21G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUV21G-FT |
BD135G
ON Semiconductor
MJE371G
ON Semiconductor
MJE703G
ON Semiconductor
2N5195G
ON Semiconductor
MJE3439G
ON Semiconductor
BD681G
ON Semiconductor
BD677G
ON Semiconductor
2N6039G
ON Semiconductor
BD678G
ON Semiconductor
BD682G
ON Semiconductor
APA300-FG256M
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43I3N
Intel
5SGXEA5K2F35I2LN
Intel
XC4VLX80-11FF1148I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6
Intel
EP1S40F780C8
Intel