casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK9Y27-40B,115
codice articolo del costruttore | BUK9Y27-40B,115 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BUK9Y27-40B,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9Y27-40B,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 959pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 59.4W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y27-40B,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK9Y27-40B,115-FT |
PSMN1R5-25YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R4-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R9-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN6R5-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y11-30B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y12-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y14-40B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel