casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK9Y19-100E,115
codice articolo del costruttore | BUK9Y19-100E,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK9Y19-100E,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9Y19-100E,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5085pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y19-100E,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK9Y19-100E,115-FT |
PSMN2R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R2-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y41-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y4R8-60EX
Nexperia USA Inc.
PSMN011-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN013-60YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN025-80YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R1-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-25YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel