casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK98180-100A,115
codice articolo del costruttore | BUK98180-100A,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK98180-100A,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK98180-100A,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 173 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 619pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK98180-100A,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK98180-100A,115-FT |
PHD98N03LT,118
NXP USA Inc.
PHD9NQ20T,118
Nexperia USA Inc.
PSMN005-25D,118
NXP USA Inc.
PSMN010-55D,118
NXP USA Inc.
PSMN063-150D,118
Nexperia USA Inc.
BUK7105-40AIE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7105-40ATE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7107-40ATC,118
Nexperia USA Inc.
BUK7107-55AIE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7107-55ATE,118
Nexperia USA Inc.
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel