casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK7E4R0-80E,127
codice articolo del costruttore | BUK7E4R0-80E,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK7E4R0-80E,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK7E4R0-80E,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 169nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12030pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 349W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7E4R0-80E,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK7E4R0-80E,127-FT |
PHX23NQ11T,127
NXP USA Inc.
PHX27NQ11T,127
NXP USA Inc.
PHX34NQ11T,127
NXP USA Inc.
PHX45NQ11T,127
NXP USA Inc.
PHX8NQ11T,127
NXP USA Inc.
PHX9NQ20T,127
NXP USA Inc.
PSMN013-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN016-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN3R9-60XSQ
NXP USA Inc.
PSMN4R6-100XS,127
NXP USA Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation