casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK764R0-75C,118
codice articolo del costruttore | BUK764R0-75C,118 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK764R0-75C,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK764R0-75C,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 142nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11659pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 333W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK764R0-75C,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK764R0-75C,118-FT |
BUK956R1-100E,127
NXP USA Inc.
BUK9575-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9575-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK958R5-40E,127
NXP USA Inc.
IRF530N,127
NXP USA Inc.
IRF540,127
NXP USA Inc.
IRF640,127
NXP USA Inc.
IRFZ24N,127
NXP USA Inc.
IRFZ44N,127
NXP USA Inc.
PHP101NQ03LT,127
NXP USA Inc.
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.