casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK75150-55A,127
codice articolo del costruttore | BUK75150-55A,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK75150-55A,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK75150-55A,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 322pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 36W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK75150-55A,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK75150-55A,127-FT |
PSMN2R0-25MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R9-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R9-25MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN4R4-30MLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN5R3-25MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R1-25MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R4-30MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN6R5-30MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN7R5-30MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN9R0-25MLC,115
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel