casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK6213-30A,118
codice articolo del costruttore | BUK6213-30A,118 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK6213-30A,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK6213-30A,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1986pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 102W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK6213-30A,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK6213-30A,118-FT |
PSMN8R5-100ESQ
Nexperia USA Inc.
BUK7E3R5-60E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E1R8-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E8R3-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E1R9-40E,127
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-60ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R1-30EL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN017-30EL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN5R0-100ES,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E08-55B,127
Nexperia USA Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel