casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BTS282Z E3230
codice articolo del costruttore | BTS282Z E3230 |
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Numero di parte futuro | FT-BTS282Z E3230 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEMPFET® |
BTS282Z E3230 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 49V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
Caratteristica FET | Temperature Sensing Diode |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-TO220-7-230 |
Pacchetto / caso | TO-220-7 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS282Z E3230 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BTS282Z E3230-FT |
IPD85P04P407ATMA1
Infineon Technologies
IPD85P04P4L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S403ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S4L04ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N08S405ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N10S406ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N10S4L06ATMA1
Infineon Technologies
IPD90P04P405ATMA1
Infineon Technologies
IPD90P04P4L04ATMA1
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel