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codice articolo del costruttore | BTS121AE3045ANTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BTS121AE3045ANTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TEMPFET® |
BTS121AE3045ANTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 95W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BTS121AE3045ANTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BTS121AE3045ANTMA1-FT |
2SK3943-ZP-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK4065-DL-E
ON Semiconductor
2SK4066-DL-E
ON Semiconductor
2SK4177-DL-E
ON Semiconductor
2SK4177-E
ON Semiconductor
64-2092PBF
Infineon Technologies
94-2110
Infineon Technologies
94-2113
Infineon Technologies
94-2310
Infineon Technologies
94-2386
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel